| 儀器名稱 | 飛行時間——二次離子質譜儀 |
| 規格型號 | SurfaceSeer-Ⅰ |
| 生產廠家 | 英國Kore |
| 儀器簡介 | 飛行時間——二次離子質譜儀（TOF-SIMS）采用質譜技術分析材料表面原子層以確定表面元素組成和分子結構。其工作原理是樣品表面被高能聚焦的一次離子轟擊時，一次離子注入被分析樣品，把動能傳遞給固體原子，通過層疊碰撞，引起中性粒子和帶正負電荷的二次離子發生濺射，再通過測量不同二次離子的飛行時間測量它們的質量/荷質比，對被轟擊的樣品的表面和內部元素分布特征進行分析。二次離子質譜可以分析包括氫在內的全部元素，并能給出同位素的信息、分析化合物組分和分子構成，靈敏度好、質量分辨率高、可測量的分子量范圍大，還可以進行微區成分成像和深度剖面分析。 |
| 性能指標 | 高分辨質譜： 靈敏度：靈敏度：10^9個原子/cm^2（上標） 可檢測質量范圍：1-3000 amu 質量分辨率：原子：1000 (FWHM)；有機物：2000 (FWHM) 質量準確度：0.56 mamu 微區成像： SIMS化學成像，空間分辨率：0.2 μm 二次電子成像 深度剖面：深度分辨率：1.1 nm 一次離子源：AuGa液態金屬離子 離子束能量：25 keV 脈沖微區尺寸：0.2 μm（低電流），0.5 μm（高電流） 離子刻蝕槍：Cs+離子槍，離子束能量：0.5-5 keV 正、負離子SIMS模式一鍵切換 通氧，幫助提高正二次離子產額 低能脈沖電子槍（30eV），用于絕緣樣品分析 |
| 測試項目 | 固體表面全元素和1-3000有機物質譜分析，痕量元素/有機物定量，二次離子成像、痕量元素深度分布分析 |
| 樣品要求 | 薄樣品架：16.5×13.5 mm以內，厚度方向500μm以內厚樣品架：16.5×13.5 mm以內，厚度方向約1 mm4位置可變厚度樣品架：8×8 mm以內，厚度方向6 mm以內 |
| 設備負責人 | 設備負責人：汪雪 聯系電話： Email：wangxue@sinap.ac.cn |
