儀器名稱 | 聚焦離子束-場發射掃描電子顯微鏡(FIB) |
規格型號 | Cross beam 540 |
生產廠家 | 德國蔡司 |
儀器簡介 | 聚焦離子束系統-場發射掃描電子顯微鏡通過離子束對材料進行刻蝕,同時配合掃描電子顯微鏡進行實時定位與觀察,具有束流穩定、分辨率高、納米操控精確的特點,可以在納米尺度上對材料開展三維形貌、晶體結構和微區化學成分的定性\定量分析研究,是納米加工的代表性方法。目前該設備已廣泛應用于二維與三維表征、納米加工、透射電鏡制樣與三維重構等方面。 |
性能指標 |
聚焦離子束: 分辨率:3 nm @30kV ; 可用離子束流:1 pA–100 nA ; 加速電壓:0.5-30 kV。 場發射掃描電鏡: 分辨率:0.9 nm @15 kV; 1.8 nm @1 kV; 加速電壓:0.02-30 kV; 放大倍數:12X-2,000,000X 配置5個探測器 : √ 鏡筒內置二次電子探測器(InLens) √ 鏡筒內置能量選擇背散射電子探測器(EsB) √ Everhart-Thornley樣品室二次電子探測器(SE) √ 4Q-BSD 背散射電子探測器 √ 能譜儀(EDS) 五支氣體注入系統: XeF2,Pt,C,Si, H2O Avizo三維分析軟件: 含孔喉模型 |
測試項目 | 1、高分辨二次電子/背散射電子圖像 2、 元素組成與含量( EDS)分析3、透射電鏡樣品制備 4、納米加工(沉積、刻蝕)5、三維重構成像 6、三維空間材料組成及分布 7、三維孔隙分布、連通性、孔徑及孔隙度 |
樣品要求 | 1、無腐蝕性、無爆炸性、無劇毒性的粉體和塊體2、塊體樣品高度必須低于1cm,長寬小于2cm,表面必須平整3、樹脂包埋樣品需使用導電樹脂 |
設備負責人 | 設備負責人:王羽 聯系電話: Email:yuwang@sinap.ac.cn |